芜湖多晶硅靶 昆山世高新材料科技有限公司

通过原材料的筛选、长晶工艺的控制及退火工艺，实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒，并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的优化，将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到。

在光学，微电子等领域有着广泛的应用前景，是目前国际上广泛关注的功能材料。

铸造长晶工艺，是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向**部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。

硅靶一般可以分为单晶和多晶两种类型。多晶靶材，晶粒均匀，直径可以达到11英寸，可以加工成长方形，圆形等各种形状，还可以根据用户图纸加工尺寸要求的靶材。
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