东莞多晶硅靶材生产厂家 昆山世高新材料科技

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。

在光学，微电子等领域有着广泛的应用前景，是目前国际上广泛关注的功能材料。

世高新材料的产品广泛应用于半导体显示、半导体芯片、光伏太阳能、低辐射玻璃、光学光通讯、装饰镀工具镀等行业。公司经过多年努力，成功获得行业客户和**的认可，积累了一批稳定的行业客户，包括日久光电、 蓝思科技、芜湖长信、信利光电、镀邦光电  、伯恩光学等。

硅靶一般可以分为单晶和多晶两种类型。多晶靶材，晶粒均匀，直径可以达到11英寸，可以加工成长方形，圆形等各种形状，还可以根据用户图纸加工尺寸要求的靶材。
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