多晶硅靶材厂家 昆山世高新材料科技有限公司

用途：高清电视、OLED、笔记本电脑、手机、薄膜、HIT太阳能电池、光学镜片等。

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。

硅是一种重要的溅射靶原材料，主要用在反应磁控溅射法镀制SiO2 以及SiN 等介质层。

作为重要的功能薄膜材料，它们具有良好的硬度，光学，介电性质及耐磨，抗蚀等特性。
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