上海多晶硅靶材 昆山世高新材料科技有限公司

具有纯度高、导电性优异、晶粒均匀等特点，硅材料尺寸可达1m×1m。

铸造长晶工艺，是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向**部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。

多晶硅是一种重要的溅射靶材材料，使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层，可以使基体材料具备更好的光学、介电及抗蚀性能，被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。本公司采用美国GT-Solar公司的多晶硅铸锭炉的铸造长晶工艺可制备出的硅靶材材料，具有纯度高、导电性优异、晶粒均匀等特点，硅材料尺寸可达1m×1m。
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欢迎来到昆山世高新材料科技有限公司网站， 具体地址是江苏省苏州昆山市玉山镇环庆路2488号，联系人是臧龙杰。 主要经营靶材、真空镀膜、溅射靶材、金属材料、平面靶材、旋转靶、喷涂靶材、铜背板加工、靶材加工、ITO靶材、硅靶材、氧化铌靶材、铜背板、钛背板、不锈钢背板、水路背板、镍铬靶材、镍铜靶、高纯铜、高纯铝、锌铝合金，锌锡靶、纯铟靶、石墨靶、铟锡靶、钛衬管、不锈钢衬管、金靶材、银靶材、钇靶材、铜镓靶、钼靶。 单位注册资金未知。 我公司主要供应靶材,真空镀膜,溅射靶材,金属材料,平面靶材,旋转靶,喷涂靶等，产品销售全国，深受企业用户的信任和**！期待与您的合作！