苏州钛靶 昆山世高新材料科技有限公司

通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。

不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有要求。

在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。
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