淮安多晶硅靶材

目前主要用于LCD透明导电玻璃，建筑LOW-E 玻璃以及微电子产业。

多晶硅是一种重要的溅射靶材材料，使用磁控溅射方法制备SiO2等薄膜层，可以使基体材料具备更好的光学、介电及抗蚀性能，被广泛应用到触摸屏、光学等行业中。

通过原材料的筛选、长晶工艺的精确控制及退火工艺，实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒，并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的优化，将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到。

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。