无锡多晶硅靶 昆山世高新材料科技有限公司

铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂，其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金，其中硼含量在0.025%左右。掺杂量由硅片的目标电阻率决定，电阻率优值为0.02 ~0.05 Ω•cm，对应硼的浓度约为2×1014cm-3。但是，硼在硅中的分凝系数为0.8，会在定向凝固过程中表现出一定的分凝效应，即硼元素在铸锭竖直方向上呈梯度分布，并导致电阻率由铸锭底部到**部逐渐减小。

靶材广泛应用于半导体显示（TFT)、半导体芯片、光伏太阳能、光学光通讯、低辐射玻璃、手机装饰镀、计算机硬盘等行业。

铸造长晶工艺，是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量，来实现液态硅从底部开始，逐渐向**部的定向凝固，凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中，可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应，实现大多数金属元素的提纯，并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。

作为重要的功能薄膜材料，它们具有良好的硬度，光学，介电性质及耐磨，抗蚀等特性。
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