通过原材料的筛选、长晶工艺的控制及退火工艺,实现多晶硅靶材原料的高纯度、稳定电阻率、均匀晶粒,并配套完善的检验检测手段以及加工工艺的优化,将多晶硅溅射靶材材料的品质稳定性控制到。
铸造长晶工艺,是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量,来实现液态硅从底部开始,逐渐向**部的定向凝固,凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中,可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。铸造多晶硅在生产过程中还需进行有意掺杂,其目的是改变硅熔体中受主杂质的浓度。行业内P型铸造多晶硅的主要掺杂剂是硅硼母合金,其中硼含量在0.025%左右。
铸造长晶工艺,是通过控制铸锭炉热场中的加热器温度、隔热材料的散热量,来实现液态硅从底部开始,逐渐向**部的定向凝固,凝固长晶速度为0.8~1.2cm/h。同时在定向凝固过程中,可以实现金属元素在硅材料中的分凝效应,实现大多数金属元素的提纯,并形成了均匀的多晶硅晶粒组织。
目前主要用于LCD透明导电玻璃,建筑LOW-E 玻璃以及微电子产业。
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主要经营靶材、真空镀膜、溅射靶材、金属材料、平面靶材、旋转靶、喷涂靶材、铜背板加工、靶材加工、ITO靶材、硅靶材、氧化铌靶材、铜背板、钛背板、不锈钢背板、水路背板、镍铬靶材、镍铜靶、高纯铜、高纯铝、锌铝合金,锌锡靶、纯铟靶、石墨靶、铟锡靶、钛衬管、不锈钢衬管、金靶材、银靶材、钇靶材、铜镓靶、钼靶。
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我公司主要供应靶材,真空镀膜,溅射靶材,金属材料,平面靶材,旋转靶,喷涂靶等,产品销售全国,深受企业用户的信任和**!期待与您的合作!