靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。
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在所有应用产业中,半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸(300衄口)的硅晶片已制造出来.而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒,这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。
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纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。
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为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。
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